Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Rata de transfer extern a datelor sustinuta32 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaxi
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologySingle-Level CellMaximum Sequen
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare240 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Sequential Rea
SSD CORSAIR MP600 CORE XT Capacitate 4TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 4400MB/s Viteza de citire: pana la 5000MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSilicon Motion SM2258XTTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell T
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Ra